CPU 的摩尔定律是不是因为 10 纳米的限制已经失效了?10 纳米之后怎么办?
2015-4-6
作者:薛矽
链接:http://www.zhihu.com/question/26446061/answer/43725522
昨天给家里买电脑选什么奔腾赛扬的感觉还在眼前,今天新买到的手机上就已经是4核8核傻傻分不清楚了,这是多美好的时代啊!
但是现在问题来了,飞速的发展在看得到的未来就要触碰到物理极限了,10 纳米之后怎么办?!
先宽宽心,三星总裁在刚刚二月份的ISSCC上发表主题演讲表示:直到5nm不会有根本性困难。
那5nm之后怎么办?而即使是5nm以上的制程现在真的可以这么淡定?
下面从三个大的方面比较系统地来介绍下“怎么办”:
那为什么会这样分成三个大的方向?
用这张图就能更好的理解:
一、More Moore
“More Moore”延续CMOS的整体思路,在器件结构、沟道材料、连接导线、高介质金属栅、架构系统、制造工艺等等方面进行创新研发,沿着摩尔定律一路scaling(每两年左右,晶体管的数目翻倍)。
有一个粗略的估算公式
CMOS scaling rule:To enter the next generation node,
L是特征尺寸(就是22nm,14nm,10nm等等),P是相应的能耗,是传播延时。通过这个公式可以大致推出之后几代制程的性能参数和Roadmap(roadmap就是大致哪一年做到22nm,哪一年做到10nm,哪一年做到7nm的规划,如下图)。
关于这部分内容,上面 @华思通和 @吴恒 写得很好,还有 @段阡 学长在另一个问题下的回答也很棒如果芯片工艺发展不能满足摩尔定律,是否会引发 IT 界的一场创新? - 芯片(集成电路),请大家参考。
“More Moore”的挑战在于:
二、More than Moore
“More than Moore”侧重于功能的多样化,是由应用需求驱动的。之前集成电路产业一直延续摩尔定律而飞速发展,满足了同时期人们对计算、存储的渴望与需求。大众一提到芯片想到的就是CPU、显卡、英特尔、英伟达、高通,也可能会觉得德州仪器这样名字的“山东某设备制造“公司应该和芯片没什么关系吧(纯吐槽)。
但是这个世界不是光光只有处理器啊!像下图所示,一个系统(比如您的手机芯片组)还有很多其他部分的功能模块,这些橙色的部分还大有文章可做。
更直观地理解更高集成度的好处可以参考最新发布的MacBook的主板:
这意味着什么,这意味着商机啊,意味着大笔大笔的钱啊。
比如
等等等,这些例子都不是科幻想象,都是有被具体流片实现验证的呐!但是为毛我作为消费者还没有接触到!炸裂!
因为啊,相对来说,这些技术或者还不够成熟、或者制造成本过高、或者仍不适合大量生产,还有很大的开发空间,还需要很大的研发投入。所以,业界学界就有很多人提出,别整天快到头啦快到头了的,我们来玩More than Moore好不好,我们继续赚大钱好不好(切,大钱怎么会给你们硬件挣,都在人家互联网公司好不好(纯吐槽,羡慕嫉妒没有恨))。
上面介绍的“More than Moore”其实和去年台积电张忠谋董事长就“下一个发展”所发表的观点是一致的。
张忠谋说,摩尔定律分析,半导体经过数十年的发展就差不多“要死了”,就算还可以苟延残喘个5、6年,难道接下来就没有事情做了吗?
为半导体产业把脉,张忠谋提出3个发展方向,
三、Beyond CMOS
(友情提示,以下部分适合吹水,(有些方向)毕业&找工&投资有风险,跳坑需谨慎)
那如果"More Moore"哪天真的折腾不下去了,难道就坐等CMOS到头,赚赚"More than Moore"的钱算啦?当然不会。作为无论研发投入总量还是占收入比都是最高的几个行业之一,业界众公司比如Intel,2014年115.37亿美元的研发经费投入都有在布局不远的以及遥远的将来。
搜索Ian A. Young、Dmitri Nikonov、Kelin J. Kuhn这些Intel的科学家,您就会发现他们正在研究一些相当炫酷的东西。
这个领域里还有一位清华出身耶鲁的PhD毕业,现在就职于GLOBALFOUNDRIES的科学家
An Chen,他在这个方面有很多研究,也是GLOBALFOUNDRIES在International Technology Roadmap of Semiconductors (ITRS)的代表,主持ITRS中the Emerging Research Device (ERD) working group的工作。15年有编一本新书:《Emerging Nanoelectronic Devices: An Chen, James Hutchby, Victor Zhirnov, George Bourianoff: 9781118447741: Amazon.com: Books》。
Beyond CMOS的主要思路就是发明制造一种或几种“新型的开关”来处理信息,以此来继续CMOS未能完成之事。因此理想的这类器件需要具有高功能密度、更高的性能提升、更低的能耗、可接受的制造成本、足够稳定以及适合大规模制造等等的特性。
据说知乎爆照会比较多赞,就先po一张(比较全的)玉照。
下面的综述表格适合想深入了解或是做这方面研究的知友:下面的综述表格适合想深入了解或是做这方面研究的知友:
接下来介绍一些具体的Beyond CMOS的新型器件。
1.Tunneling FET (TFET)
TFET 主要应用量子力学的隧穿原理,直接穿越source和drain间的屏障而不是扩散过去。
TFET 主要应用量子力学的隧穿原理,直接穿越source和drain间的屏障而不是扩散过去。
优势:
挑战:
2.Nano-electro-mechanical Switch (NEMS)
MEMS的进阶版,用上图所示的悬梁臂来做为机械开关。MEMS的进阶版,用上图所示的悬梁臂来做为机械开关。
优势:
挑战:
3.Single Electron Transistor (SET)
栅端电压控制稳定状态间的调谐,实现“岛”上单一电子的增或减。
栅端电压控制稳定状态间的调谐,实现“岛”上单一电子的增或减。
优势:
挑战:
4.Quantum Cellular Automata (QCA)量子元胞自动机
通过改变元胞编排结构来表示二进制。
相邻的元胞由于库仑耦合效应趋向于对齐一致,从而实现信息的传递。
已有通过实验演示的半导体、分子、磁性点类型的量子元胞自动机提供了低功耗,新型信息处理方式、传输机制,以及多数决操作。
QCA 量子电路是未来实现量子计算机的技术之一。
挑战:
5.Atomic Switch
原子开关基于两电极间的金属原子桥的形成与湮灭,从而形成门(相当于栅极)控开关模式。
原子开关基于两电极间的金属原子桥的形成与湮灭,从而形成门(相当于栅极)控开关模式。
优势:
挑战:
6.SpinFET
利用电子的自旋方向来携带信息。
利用电子的自旋方向来携带信息。
相关技术也是未来实现量子计算机的技术之一。
优势:
挑战:
7.Graphene FET 石墨烯FET
2D材料,蜂窝状的单原子碳结构。
2D材料,蜂窝状的单原子碳结构。
优势:
挑战:
石墨烯材料的最重要的缺陷就是缺少带隙,所以这方面也有各种各样的研究尝试。
8.Carbon Nanotube FET
CNT是由石墨烯薄片卷起来的纳米级直径的圆管。
优势:
挑战:
碳纳米管更具体的方面知乎上有 @吴恒 的优质答案可供参考碳纳米管会代替传统硅材料成为更优质的计算机电子元件材料吗,现在大规模应用的阻碍是什么? - 吴恒的回答
9.Nanowire FET
优势:
挑战:
Beyond CMOS部分引用前文提到的华人科学家An Chen已发表的论文结论做一个小结:
根据时间上的状态变量和开关装置做的分类:
ITRS ERD组基于评价和调查,对上述三大类新型逻辑器件在比例缩小能力、速度、能效、开关(1/0)比、操作可靠性、室温下性能、CMOS工艺兼容性等方面的归一化评估:ITRS ERD组基于评价和调查,对上述三大类新型逻辑器件在比例缩小能力、速度、能效、开关(1/0)比、操作可靠性、室温下性能、CMOS工艺兼容性等方面的归一化评估:
简单地说单一射线上的数值越大越好,最终所包围的面积越大越好。
全文最后用ITRS(国际半导体技术蓝图)公布的一份报告中的图片作为总结。
注意看左右两条长直线和中间的五个大层面。
偏左边是已有的成熟技术,偏右边是新型的信息制程技术。
另附上2002年一篇paper的几张综述图表给有兴趣想继续深入了解的知友。(而且有包含前文没有介绍的Memory的部分)
以上全文中非原创图片均来自公开的互联网,如有侵权立刻删除。
部分个人论述非学术结论,仅供参考,如有错误敬请指正。
专业名词翻译可能有误或和大陆常用词不同,敬请指正,有些实在无法翻译,还请见谅。
4-24更新——IEEE Spectrum做了一个关于摩尔定律50周年的专题(仍在更新中):
Special Report: 50 Years of Moore's Law
甚至有采访到Gordon Moore本人以及超大规模集成电路(VLSI)的祖师爷Carver Mead(他是摩尔定律的命名者;我在另一个回答有提到,他也是神经形态计算机之父 IBM 发布新型 SyNAPSE 神经芯片,会对整个计算机乃至科技领域产生什么影响? - 薛矽的回答)。
引自科技中国「卡弗·米德」词条 http://www.techcn.com.cn/index.php?doc-view-134697.html
摩尔先生在1965年提出定律时就在《电子》(Electronics)杂志中就表明了这一观点,现已 73 岁高龄的他对此仍深信不疑。他表示:“我愿意对摩尔定律的任何问题进行担保。”
该定律最初只是摩尔先生做出的一个简单推测,主要探讨了新兴芯片行业多快可以在单一集成电路中容纳更多元件的发展周期。加利福尼亚理工学院着名物理学家米德(Carver Mead)后来将其称为摩尔定律,他认为“它更是一种个人预言,而非仅仅是定律”。
Moira Gunn:你早在1965年便撰写了那篇具有开创性的文章,并且你能从中看到摩尔定律的所有苗头,但直到你在英特尔工作达10年之久后,你的发现才被称为摩尔定律。根据你的回忆,第一次出现摩尔定律的名称是什么时候?
戈登·摩尔博士:对这一点最了解的是我的一个朋友Carver Mead,当时他是加州理工大学教授,是他把我的发现称作摩尔定律。不知怎么的这一名称就流传下来了。几十年来,我甚至不愿使用这一说法,但最终我还是习惯了这个名称。
这里简单翻译一些这次IEEE Spectrum专访中的有意思的对话片段(只是大意,全文请移步原文链接):
...
对Carver Mead的采访
...
R.C.: 摩尔定律不是真正的定论,至少不是像我们所定义的物理定律一样,您如何像普通人解释它?
Carver Mead:我总是需要澄清(特别是在早期),这不是一个物理定则。这是一个关于人类行为的规律。为了让事情都像我们半导体技术的发展一样,这需要极大数量的具有创造性且十分努力的聪明的人来实现。他们相信这种努力会造就一个成功的事业否则他们不会付出努力。这种对有可能实现目标的信念最终使得梦想真正得以实现。
摩尔定律实际上是关于人们对未来的信念以及他们愿意投入精力促使其发生的意愿。这是一个关于人类(人性,humanity)的了不起的宣言。
...
R.C.: 当摩尔定律即将终结,会发生什么?
C.M.:我们最不想做的事就是在摩尔定律50周年的当下充斥着一些关于它的即将结束的悲观情绪。事实上,针对晶体管的盲目发展更小的尺寸这条路的确是不会永远持续下去的,但这并不意味着建设更复杂,功能更强大的电子系统的时代即将结束。
有很大数目的非常聪明的人们正在一刻不停地挑战并推进极限。比如,有人正试图将光学和电子元件集成在同一芯片上,也就是所谓的硅光子学,而这还只处于起步的阶段。
我的经验是,当你觉得在一条学习曲线上感到空气稀薄,在某处总会有一个突破口,但突破口永远不在你正在思考的位置。我们永远无法明了,直到下一个令人激动的BIG thing真正发生。但总会有一个它等在那。
Reference:
[1]Dmitri Nikonov, "CMOS Scaling".Intel. NikonovBeyondCMOS_1_scaling.pdf
[2]Zhang G.Q., Roosmalen A.J. "More than Moore: Creating High Value Micro/Nanoelectronics
Systems." – Springer,2009 Chapter 1. The Changing Landscape of Micro/Nanoelectronics.
G.Q. Zhang and A.J. van Roosmalen. springer.com 的页面
[3]A.Allan. 2008 ITRS ORTC. ucsd.edu 的页面
[4]D. Nikonov and I. Young, "Uniform Methodology for Benchmarking Beyond-CMOS Logic
Devices", Proceedings of IEDM, 25.4 (2012) nanohub.org 的页面
[5]K. Bernstein , R. Cavin , W. Porod , A. Seabaugh and J. Welser "Device and architecture
outlook for beyond CMOS switches", Proc. IEEE, vol. 98, no. 12, 2010 google.com.tw 的页面
[6]2007 International Technology Roadmap, Emerging Research Devices itrs.net 的页面
[7]J. A. Hutchby, G. I. Bourianoff, V. V. Zhirnov, and J. E. Brewer,"Extending the road beyond
CMOS". IEEE Circuits Devices Mag. 18, 28 (2002). stanford.edu 的页面
[8]IEDM: Nanoelectronics provide a path beyond CMOS
[9]Wolfgang Porod."Emerging Nanoelectronic Device and Circuit Technologies".IEEE Rock River
Valley Section ●29 March 2006. ackoneup.net 的页面
[10]An Chen,"Emerging research device roadmap and perspectives" (ICICDT), 2014 IEEE
International Conference onIC Design & Technology, 2014 , Page(s): 1 - 4
[11]Enrico Sangiorgi. "When More Moore meets More than Moore and Beyond CMOS"ARCES,
University of Bologna – IUNET. nanofunction.eu 的页面
[12]Kwlin J.Kuhn.Intel Fellow,"CMOS and Beyond: Future Device Technology"Intel Corporation.
EuroNanoForum 2013 euronanoforum2013.eu 的页面
[13]C. Carta1, M. Claus2, M. Schröter2,3 and F. Ellinger1 "Review of Advanced and Beyond
CMOS FET Technologies for Radio Frequency Circuit Design"mos-ak.org 的页面
[14]Gordon Moore: The Man Whose Name Means Progress
[15]Q&A: Carver Mead
[16]Special Report: 50 Years of Moore's Law